虽然是基础问题，但一直没好意思问.在Youtube上看了不少视频，也是两句话带过，还是没明白，求解惑。
PN节。正向电压导通，我能理解，因为外部电压削弱或消除了Depletion Zone的阻碍电场, 加上外部电压的动力，所以电子流动，形成电流。但反向电压, 虽然外部电源电势方向与内部Depletion Zone的电场方向一致，会把大部分电子都吸引到N端。但是，此时电源负极在P端能够提供大量电子，为什么不能源源不断提供电子从P->N，形成电流呢?

呃，这个问题从未想过

是PN结 PN Junction；
答案在于载流子没有足够的能量越过势垒
看看维基百科讲的比较浅显深入
https://zh.wikipedia.org/wiki/PN结

外加电场和内电场反向，抵消掉内电场，载流子才会扩散和漂移
所以导通以后的管压降正好就是内电场电势

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lz是刚接触模电吗？其实不用研究得那么细，只要知其然就行了。 iOS fly ~

闲着没事，给LZ简单讲讲吧。
首先，先来说说PN结。
硅原子有四个电子，由于电子不容易移动，所以是不良导体。



如果注入5价（5个电子）的磷元素，那么就会有一个电子没有组成牢固的共价键，这个电子很容易在物质中移动


如果注入的是3价（3个电子）的硼元素，那么就会多出一个没有电子的空位（空穴），这个空穴非常容易吸引电子

当形成PN结时，N结边界的部分电子会扩散到P结，使得N结边界带
+
电，P结边界带
-
电。而中间这个电场区域就是PN结。

而中间的这个电场会阻值电子进一步地扩散进P区。

我的理解是，在电场强度很低，或者没有时，电子自由移动进入空穴的优先级比较高。当过多的电子进入空穴，造成电场比较大时，电场阻止电子移动的势能与电子想要进入空穴的势能达到平衡，电子停止扩散行动。

如果电子想要继续进入P区，必须获得额外能量，以克服P结负电场的场强，能量为必须大于0.7V。

正向偏置

当足够电压（0.7V）的电源接入PN结时，N极电子获得能量（电子被负极推动），突破了P结负电场的抵抗，耗尽能量的同时得以进入P结与P结的空穴结合。同时电源的正极吸收电子，使刚突破能量场过来的电子又被电源吸走。

这样一出一进，就形成了稳定的电流。

反向偏置

电源正极从N极吸收掉大部分电子，使得N极的+电场更加强大。

电源负极给P极注入大量电子，使得P极的-电场更加强大。

电子要从P结到N结去，被P结的PN结-电场所阻挡，最后停止在-电场后面，相当于增加了-电场厚度，

增加到一定程度，电子就无法再进入到P结，电流停止。

PN结是半导体的基础呀，导体和半导体的区别就在这，按理说楼主不该不明白 Send from VAIO ~

这不是常识能解决的问题，半导体物理的研究生课程都要讲一两个月，更精细一点的话，里面还有量子力学的东西。关键还是在哪个抽象层面隐藏掉细节，去理解整个过程。

多谢，详细讲解。我最不理解的就是你的最后一段,如下：
“反向偏置
电源正极从N极吸收掉大部分电子，使得N极的 + 电场更加强大。
电源负极给P极注入大量电子，使得P极的 - 电场更加强大。
电子要从P结到N结去，被P结的PN结-电场所阻挡，最后停止在-电场后面，相当于增加了-电场厚度，
增加到一定程度，电子就无法再进入到P结，电流停止。”

我的理解: 内部PN结的阻碍效应应该是：阻止电子N->P, 而不是 P->N. 相反，反向电压偏置时, 内部和外部电场一致(鼓励电子P->N方向), 而此时电源负极在P端提供大量电子, 应该更容易形成电流才对啊?
我知道我理解有错误，应用层面也无需细扣，但是PN结是电子基础，这点想不通，总感觉不舒服啊。

严重同意这个说法。看过好本模电的教材，对于三极管的内部原理基本都是点到为止，不会有更深入的描写，可能里面的东西真的很复杂。一般的教材都采用这种黑盒子的方式讲授，采用一个特效的模型，采用实验，罗列一些数据，说明三极管的特性，强调会用就行。