ASML已完成1nm光刻机设计
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近日，与ASML（阿斯麦）合作研发光刻机的比利时半导体研究机构IMEC公布了3nm及以下制程的在微缩层面技术细节。具体来看，ASML对于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路线规划，且1nm时代的光刻机体积将增大不少。
显然，1nm光刻机需要更强大的物理极性，2nm之后需要更高分辨率的曝光设备。目前已经投入量产的7nm、5nm工艺已经引入了0.33NA的EUV曝光设备，而ASML已经完成了0.55NA曝光设备的基本设计，预计在2022年实现商业化。
- 2016102mmp这才是头部啊
- openwrt好像我们并不放在眼里
- realfatboy怎么我记得以前好像说多少nm就是极限，好像到不了1nm，现在的口径又改了吗？
- bingdunan28nm就能用用了HiPDA·NG
- 嘘嘘乐只能弯道超车了，大力研究碳基芯片
- myywin不是会有量子隧道效应吗 iOS fly ~
- wzw109800关我们什么事呢？又不能正常使用，必须跪着用
- xRAIN导线宽度10个原子HiPDA·NG
- zhaoyuping没见到实物，更没有商用，只能是ppt技术，就是胡吹而已，我们也一样能做到
- imark难道我们就一直无法超越吗？
- 超人不会飞回复5#realfatboy
好像是通过堆叠实现等同效果。并不是物理意义上的1纳米，所以有引号 iOS fly ~ - openwrt堆叠不能提高性能的，复杂度一直在递增，不提高性能的话，随身设备要带越来越大的巨型电池
- chaos不要一口吃成胖子，能搞好28nm和14nm，就能解决大部分问题了
- ryon你们这些人啊，这么好的发财机会，买一台转手翻倍。
- amoour1999真是纯抹黑啊。“我们”指的是谁？谁不放在眼里了？
- awk直接曝光有极限， 用了多重曝光可以到10nm
为了追求更高的图形密度和更小的工艺节点，在普通的涂胶-曝光-显影-刻蚀工艺的基础上开发了多重曝光技术，如LELE（litho-etch-litho-etch）、SADP（self aligned double patterning）。LELE技术将给定的图案分为两个密度较小的部分，通过蚀刻硬掩模，将第一层图案转移到其下的硬掩模上，最终在衬底上得到两倍图案密度的图形；SADP技术通过沉积和刻蚀工艺在心轴（mandrel）侧壁上形成间隔物，经由额外的刻蚀步骤移除心轴，使用间隔物定义最终结构，使得特征密度增加了一倍。将SADP加倍可以得到四重图案化工艺（SAQP）,使得193nm浸润式光刻可以实现~10nm的分辨率。 - yjd159你确定我们是一伙的吗？为啥不给我发工资！
iOS fly ~ - awk海淘搞起
- duwang1883千万要保护好科学家，不要被美国爆头了
- yl003_11022年？供应商又着火不就可以晚几年了
- dos4gw最高级别的高科技名额那么紧张？只允许有一个？还是说按照国际通行的高科技判断标准的第一条：凡是中国能造的都不算高科技
- 发财进行曲好像是7nm极限 iOS fly ~
- ter物理界限是3nm吧。。。不过应该到了真正5nm就到头了。都是堆叠了。
- lam4炸了它......我们没的用台积电和三星也别用了 iOS fly ~
- emilchan2k有点眉目了，直接碳基芯片弯道超车！
现在asml不赶快卖手上的存货，以后就等着吃灰吧
- jason1234567回复5#realfatboy
我记得是2nm是栅极之间的物理极限 iOS fly ~ - jiandanbill
- jeuxee民用集成电路的第一，航空和军用根本不在一个维度的，比都没法比。 iOS fly ~
- 胖菜鸟现在cpu性能都严重过剩了吧，我11年买的本子完全没有换的想法，gta5全特效流畅，那时候是几纳米？ iOS fly ~
- Helloearth当时说cpu频率到了1G就是极限了呢
- txzhao最牛逼的“机床”？