好像突然铺天盖地的氮化镓充电器。。。这个比传统的好在哪里啊？

高考化学149的表示一点概念都没有。。。。。

转换效率高

我就一个感觉 同功率的充电器更小

正好是我的专业
本质上gan就是一个开关 每次开和关的过程有能量损失
相比以前用硅做的开关 gan开的快 损耗能量要小 所以相同功率可以做更小一点

“每次开和关”是啥意思？每一波电流传输过去都要开关一次？？充满一个iPhone要开关多少次啊？

我来瞎逼逼一下吧，个人感觉就是一个充电器里面有一个核心的元器件，这个元器件以前用的材料和现在所用的这个叫淡化钾。用了这个材料，电源的转换效率更高了，体积也可以更小。

一个比方就是以前的炸弹用火药，又大威力也小，现在炸弹各种新化学材料代替火药，又小威力又大！

现在最好的雷达都用氮化镓

化学149什么概念

就是小。

不过这种超小的充电器其实早就有了，随着type-c一统江湖，以及氮化镓这个名字，又重新火了

全国卷理综考生理解不能。。

开关电源了解一下，通过晶体管的开关把输入电源转换成高频脉冲实现电压和电流的转换

先学习一下啥是开关电源就明白了，用氮化镓开关管替换原来的硅管。 赚钱养家

差一分满分。

现在的充电头准确地说是一个开关式降压电源。开关电源一秒中开关几万次，连充电宝都是开关电源。我们都知道，短时间开关会伤电气寿命，为了给你的iphone延长寿命，请将ip直接怼进电表充电 人生如梦

这种开关电源芯片差不多10年前就在通信产品中应用了 不知道为啥现在当成卖点了 iOS fly ~

算是第二代半导体，碳化硅是第三代，禁带宽度稍高，不易击穿

假设你手动开关一个闸刀快速开关， 去控制一个直流电机的速度。

这个开关如果内阻是0， 并且开关转换是瞬间的， 那么它不消耗能量，就是能量100% 用到了电机上。 开关也不会发热。

假设这个开关氧化或者其他原因，有电阻， 那么就不是100%了。 假设是80%， 那么20%在开关上发热了。 要散热， 就限制了适配器的体积不能太小。

这个氮化镓， 就是这个更小内阻和更快速度的开关材料。

谢谢 瞬间我就理解了

开关器件的开关频率决定了同匝数电感线圈磁场的强弱，同体积变压线圈变压的效率只和匝数及电流方向变化快慢有关，同体积的线圈匝数是一定的，那就只有提高开关器件的开关频率才能提高变压效率，氮化镓开关器件的开关频率可以几倍的高于传统开关器件

简单点说吧，开关电源的效率取决于开关损耗和导通损耗，导通损耗取决于开关管的内阻和电感dcr，目前来看基本没什么改进希望。

开关损耗取决于开关管的开关速度，也就是电压和电流的交越面积，这个损耗严重制约了开关电源的频率，因为对于特定的器件来说，开关速度和损耗是固定的，而频率越高这个损耗越大。

而提高频率是减小电源体积的不二法门，GaN就是解决了开关速度问题，使得开关频率可以大幅提升而开关损耗增大不多，这就是为什么可以在这么小的体积上作出这么大功率的原因。 iOS fly ~

内阻其实和硅管差不多，导通损耗没什么改善，但开关速度快，开关损耗低了，频率就可以上去了，体积就可以做小了。 iOS fly ~

有D版风格，赞👍

BCD 制程中的高频率应用中需要这种材质，低频损耗小的目前的硅基的就可以了

这应该是半导体物理和电力电子的教学内容吧。。。。和化学关系不大

我更觉得是噱头

回复15#jhliuyu


10年前的通信开关电源里面普遍有GaN？

宽禁带半导体材料

回复24#noshare


非也，高速开关，除了只是为了噱头的产品，开关管电感电容都能提高速度，起码提高频率可以减少电容电感的体积，实打实地减少开关电源体积。


虽然说开关电源的体积不仅仅取决于这三者，但是能降低一部分也好啊。

这是物理概念吧？跟化学真没关系似的。

再说，从前高中根本不讲神马半导体，大学也只有极少数专业会讲

化合物半导体吧？士兰微做得？

充iphone算2个小时吧，50HZ的电，那么2X7200X50=72万次。

GaN在通信上主要用于射频信号的放大，比传统的LDMOS效率高不少

很遗憾错过了电子器件的加蛋，我的导师是led方向，研究中的mirco led也没听说有量产。有个导师是做电子器件，那些师弟毕业混的都不错。 iOS fly ~

回复5#yxmr
应该说的是pwm的开和关 iOS fly ~

回复30#octavia18

硅器件150khz基本的都算慢的。。。Gan都可以上Mhz级别。。。再乘以3600*2，就是7.2G次拉。。。

乔布斯电影有个桥段是他搞苹果II时为了追求轻和小靠那个肥宅工程师用开关电源干掉了变压器和整流桥小尾巴~

开关电源当然主要部件是开关。 iOS fly ~

等效为直流电路的话，说是内阻也可以，因为内阻决定发热损耗的大小

开关电源真正的损耗好像是开到关和关到开转换过程决定，可能氮化镓的曲线转换过程更加陡峭吧

这玩意怎么等效？导通损耗和开关损耗是两个不同的东西。 iOS fly ~

这是物理iOS fly ~

回复31#galaxyhere


以前是要是频率更高吧？硅上不了3.5G？

这个帖子挺好，不少真电工做了解答，点赞！

回复17#e的ipi次方

然后爱否倍思那个gan的头发热极其感人，也不知道是为啥。。。

可是大厂的充电头，都还没上GaN啊，为什么

倍思那个65w的2c1w似乎不是很靠谱，一元预定了。

目前gan的产品貌似都不成熟。 iOS fly ~

理解了，谢谢科普

好像台达之类的大厂都没有相关产品，很奇怪 iOS fly ~