台积电2nm制程研发进度超前2024年或实现量产
- 嘻哈小寒说好的物理极限呢
iOS fly ~
- gifts感叹一下,未来应该就是量子计算了吧。
logo不贴切呀 - manny_yu下面是原子级的吧
- zhanghe2nm是什么概念。。。太疯狂了
- cainiao1v1台湾南波万
- lanwater可以这样理解:
原来的2d结构:mos 管 的三极 是 d ,s,g是水平放置的,
现在的3d结构:d s g 是垂直放置的 所以提高了密度。
再往后怎么发展,估计暂时还没人想到的。 iOS fly ~ - 黑白胖没有突破物理极限,只是改变了结构,变成多层堆叠,让单位面积上容纳更多元器件,并不是将元器件做得更小更密集。
- timeinwait这个2nm 不是 2纳米,别想错了,虽然也很厉害。
- overcpu都是因为飞碟外星科技的逆向工程。。。。 jos.su
- 猫安可台积电的2nm 只是一个版本号吧好像不是物理意义上
- samsonlin
- lam4一定程度上也要有更多的设计跟上 iOS fly ~
- ufo-bug
- samsonlin回复18#ufo-bug
也不是全傻,他光刻机还是用duv的,不肯花钱买euv(哎,印度人。。。),的确是还是14纳米水平,但是优化到极致而已。他的10纳米也是用duv生产的,所以多重曝光次数太多,良率好低。。原本计划23年才用euv,但是被amd逼得没办法,计划改成21年用euv,明年看看牙膏厂能不能翻身 - ansonwjx没有影响
- 潘少拉
- 潘少拉
- lanwater存储器完全不是一个技术路线。怎么能一起说。
台积电吹的这个2nm的技术也还是靠finfet的基础上堆起来的。 iOS fly ~ - aayyooh总之是靠拼装和zf提携 是改变不了世界的 iOS fly ~
- samsonlin
- lanwater当然不是,nand技术和finfet没关系。否则三星为啥要抄台积电的finfet技术。 iOS fly ~
- samsonlin
- lanwater这个比喻没有显出技术难度。原来大家都躺着睡觉,后来坐着睡,以后站着睡。占地面积越来越小了。至于复式结构 现在做的3d封装,可以类比。 iOS fly ~
- 3dlong那我们用duv 岂不是也能干到5nm?
- jiandanbill
- foy2004以前算平方现在是算立方?
NOKIA 3310
- apple2101那现在栅极宽度的极限是多少?各位电工还是没说出来啊
- jadeyang说不定过几天川普说台积电如果不搬到美国,就会制裁台积电……
- lanwatert之前duv干过7nm。但是成本高,不如euv。
s技术本身就比t差,所以虽然理论上存在但是也不容易干到7nm。即使能干出来成本也要高很多,没有竞争力,当然拿补贴供给h理论上可以的。但半导体这行业大家都要靠市场来赚钱来提升技术,不可能一直靠国家养着。 iOS fly ~ - 吉祥的云有意思,请问具体来源能告知一下吗?快科技是一个app吗?
- cybervsq回复38#吉祥的云
电子显微镜下的Intel 14nm与台积电7nm:差别其实没那么夸张https://c.m.163.com/news/a/FN7SQU9K0511CPVM.html?spss=newsapp - nick_nipm 马上要来了?
- 北工按照版上大多数人的说法,2024年以前应该已经统一台湾了。我们岂不是稳稳地拥有世界最强晶片?
- 吉祥的云很有意思的图片,感谢
- 4x9硅原子0.1nm
科技迷人 - openwrt回复43#4x9
这种名义上的2nm其实都还是基于7nm,甚至看图片和intel的10nm密度也差不多。3D只能提高纵向密度,但是性能还没法提高,比如说同密度下功耗没法下降。除开存储器结构,如果是高发热芯片,其实和几颗芯片叠起来一样,没有工艺提高带来质的改变。
比如说同样面积今年10亿管子,明年百亿管子,功耗甚至还进一步下降这种真正的提高。 - xuyn2003你忘记焦土政策了?
- 枯林会有新的结构的,三星的3nm就是采用的gaa结构,gate all around
- openwrt现在栅极宽度远远大于厂家声称的宽度,之前有个实测,在10纳米样子
- gtawang中国还能用上吗?会不会连先进的cpu都不卖给中国?卖落后制程的
- jackietanktsmc的7nm系列和Intel的10nm密度差不多,tsmc的5nm以下对标Intel的7nm,Intel在10nm上已经四重曝光了,之后应该是euv加多重曝光,再小就要用gaa,tsmc的2nm应该和三星3nm gaa一样是n+2代技术了,先放风筝