中芯国际 FinFET N+1 先进工艺关键突破:国产版「7nm 制程」,不需要 EUV 光刻机

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    goldenalpha
    中国一站式 IP 和定制芯片企业芯动科技(INNOSILICON)昨天发布:已完成全球首个基于中芯国际 FinFET N+1 先进工艺的芯片流片和测试,所有 IP 全自主国产,功能一次测试通过。


    关于N+1工艺,中芯国际联合CEO梁孟松今年初曾透露,该工艺在功率和稳定性方面与7nm工艺非常相似,且不需要EUV光刻机,但在性能方面提升还不够,所以N+1工艺是面向低功耗应用领域的。其曾表示,中芯国际N+1工艺和14nm相比,性能提升20%,功耗降低57%,而7nm市场基准性能提升应该是35%。




    这是怎么个意思,哪位专家解读一下?
  • 老猎人
    就是动力必须用可控核聚变的能量,所以暂时造不出来,滋道吧
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    goldenalpha
    我觉得你说的不对,都说了已经流片了
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    FQX
    回复2#老猎人


    可能导线需要用常温超导材料
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    amoour1999
    昨天已经讨论过一轮了。主要是这个ip厂商自己的宣传稿,中芯其实挺被动的。
    里美君怎么歪到可控核聚变去了。
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    jckimi
    关键是,你信么? Kimi
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    jinqihrb
    N+1最多算8nm,怎么也到不了7nm。小尾巴~
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    405610907
    不相信,但支持。
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    jadeyang
    良率不会高吧
  • B
    BuK
    回复10#jadeyang
    相比没得用,良率差点算个啥不要太在意
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    14783139
    自媒体天天炒nm啊,一天1nm,现在又不用EUV了,不要个碧脸 iOS fly ~
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    black_samurai
    没关系,可以名称叫7nm,实际工艺10nm么 iOS fly ~
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    pzhang
    做得出来和能量产是两回事,中芯至少4、5年前就做出来14nm了,但是量产是几年后的事情了。
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    logic90
    好像没什么问题,这个路线一直在做,也并不是什么黑科技

    先进工艺,比14nm强,但是不是7nm

    不需要被西方封锁了的EUV光刻机,但是还是需要用从西方进口DUV光刻机HiPDA·NG
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    vipcdna
    我理解的意思是跟正式的7nm相比虽然单位面积里可以塞相同多的晶体管但晶体管发热会更大,所以要压缩性能
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    865200
    突破离量产还很远
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    amoour1999
    你这就属于不懂瞎喷了。台积电的第一代7nm就是不用EUV做出来的。
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    14783139
    回复20#amoour1999
    你随意…高兴就好 iOS fly ~
  • a
    amoour1999
    嗯,原来你是知道的啊。那就是故意抹黑咯。
  • b
    bingdunan
    9万亿省下了
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    14783139
    回复22#amoour1999
    滑稽,什么玩意乱七八糟的,你继续看你自媒体呗… iOS fly ~
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    thinkfine
    据说N+1是8NM,N+2是7NM

    有总比没有好
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    jasonz
    看新闻说是只用于低功耗Mate10·NG
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    amoour1999
    原来你的知识不是来源于自媒体啊。那请问来自于哪个专业渠道呢?
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    zsdicky
    那是对女人的终极武器
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    qihm
    凑合用用还可以,怎么说哪,总比没有强。
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    miumiu09
    看着像英特尔前几年的14nm+++
  • t
    tsounny
    必须奔哥!
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    xRAIN
    关键是材料已经被封锁买不到了吧HiPDA·NG
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    jackietank
    回复15#black_samurai

    tsmc的第一代7nm就是970那个就是,实际密度比Intel的14nm稍微高一点点,tsmc现在的7nm也就和Intel的10nm差不多
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    lyxlyx
    intel的10nm和台积电的7nm,晶体管大小是一样的。
  • 与虎谋皮
    不懂… iOS fly ~
  • 猫知道
    回复1#goldenalpha

    1。n+1和n+2只是一个演进代号和路线图,不同于台积电和三星x nm路线图那么清晰。
    2。所谓“对标”“接近”,一般都是指追赶到可以看到车尾,并不是实际意义的相差无几。
    3。突破到7nm之内以前,根据现有技术,duv就够用了,不存在asml得硬件瓶颈限制,晶圆厂代工是一个系统工程,光刻机跟晶圆厂x纳米工艺的关系,就像航空发动机跟第x代战机一样,只是必要条件,而不是充分条件。

    4。最后说一点,梁孟松真乃神人也,不愧是胡正明的学生,一个人抵得上五个师,这种人国家要动用大力气好好保护起来,前车之鉴,张汝京的悲情已成往事。
  • n
    nick_ni
    希望靠谱,虽然。。。。。。。。。。。。
  • 猫知道
    回复33#jackietank

    密度 特征尺寸都是工艺的特征之一(换言之,密度并不能说明全部问题,其他单一参数同理),英特尔甚至在前期可以取得比台积电下一代尺寸更高的密度,但是这并不能说明全部问题。而且现在的密度是3d立体和堆叠换算的,所以x纳米之争已经沦为口号之争。

    但是intel的工艺相对下降是不争的事实,更可怕的是另外两家的后续演进图还在按部就班甚至超前推进。

    能做出来比做不出来要好,哪怕是良率惊人的低,只不过是看实际生产投入产出比和良率的优化。


    intel现在最大的问题不是单纯的工艺问题。而是架构和工艺都出了问题,大家还在等他憋大招,万一金坷垃走的时候没留下神级草图架构给他翻身,后续就更惨了。
    amd可以通过工艺和架构的双年份迭代演进双重打击intel,到时候搞不好amd都会收着卖和挤牙膏。
  • 安德猴
    感觉没那么容易,牙膏厂有钱有设备都难产HiPDA·NG
  • 理想
    这些人物能展开细说吗?
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    jackietank
    回复38#猫知道

    Intel没有吃到移动红利,利润空间有限的情况下没法按照代工厂的半代半代演进:其实Intel利润很高,但是股市不允许他做稳健的半代工艺,加速迭代,这个也算华尔街拖累美国实体经济的一个案例,另外一个就是737max,737毕竟是60年代的设计,再怎么改用最新超大涵道比涡扇都是强上,只能靠飞控弥补,最后掉了链子,这么搞也是股市不允许波音重开新的单通道设计,只能短平快上max
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    manny_yu
    是不是真的不重要,关键能拿到补贴和拉股票..
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    tyfsam
    现在主要是看必须全套国产设备
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    lonee
    有进步就是好的。只要不是骗钱的。现在太落后了。就算相当8NM,也比现在的28NM高到不知道哪里去了。
  • w
    wujinyinhaah
    理论上是讲的通的,就是多次曝光实现更高的蚀刻精度,也就是中芯说的N+1,其实台积电以前就用过这个方法,只是效率低,良品率下降,但是确实是可行的,没办法买不到evu光刻机,也只能这样。。。
  • 猫知道
    回复43#jackietank

    所以说华尔街和资本巨鳄的力量和能力都是双刃剑,而且大部分资本都是短期和粗暴逐利的。

    目前的情况下,如果intel情况不持续好转,有可能会逐步将更大的部分代工转移给台积电或者三星,虽然不会像amd那样全盘抛弃自家工厂,也会有这个趋势。前提是工艺持续没有提升同时整体状况不改善,恶化的趋势越快就越会加速这种趋势,因为资本巨头会毫不犹豫地抛弃自家工厂。
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    ter
    这个新闻纯粹就是炒股价的。。 iOS fly ~